EOT高速光電探測器,光電探測器

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EOT高速光電探測器,光電探測器

EOT高速光電探測器,光電探測器

總部在美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司成立于1987年,專(zhuān)注于生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)高平均功率及高峰值功率法拉第旋轉器,隔離器以及高速光電探頭,為知名的光纖激光器廠(chǎng)商批量提供產(chǎn)品,并具有為特殊要求定制產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)能力。法拉第光旋轉器/光隔離器廣泛應用于各種對于返回光極敏感的光學(xué)系統中,如多級激光放大器,光參量振蕩器,環(huán)形激光器,摻餌光纖放大器(用于隔離980nm泵浦光的反饋),種子注入型激光器,非線(xiàn)性光學(xué),光傳輸系統等。 產(chǎn)品包括:法拉第旋轉器和隔離器,高速光電探測器。

 

偏壓硅探測器

Model No.

ET-2000

ET-2020

ET-2030

ET-2040

Detector Type

PIN

PIN

PIN

PIN

Rise Time/Fall Time

<350ps/<350ps

<1.5ns/<1.5ns

<300ps/<300ps

<30ns/<30ns

Responsivity at 830nm

0.12mA/W

0.6A/W

0.47A/W

0.6A/W

Bandwidth

>1.0GHz

>200MHz

>1.2GHz

>25MHz

Active Area Diameter

110um x 55um

2.55mm

0.4mm

4.57mm

 

偏壓InGaAs探測器

Model No.

ET-3000

ET-3010

ET-3020

ET-3040

Detector Type

PIN

PIN

PIN

PIN

Rise Time/Fall Time

<175ps/<175ps

<175ps/<175ps

<6ns/<250ns

<1.25ns/<3.70ns

Responsivity at 1300nm (A/W)

0.9

0.85

0.9

0.9

Bandwidth

>2GHz

>2GHz

>2.5MHz

>50MHz

Active Area Diameter

100μm

100μm

3.0mm

1.0mm

 

<2GHz 放大光電探測器

Model No.

ET-2030A

ET-3000A

Detector Material

Silicon

InGaAs

Rise Time/Fall Time (ps)

<500/<500

<400/<400

Conversion Gain (V/W)

450 at 830nm

900 at 1300nm

Bandwidth

30kHz-1.2GHz

30kHz-1.5GHz

Active Area Diameter (μm)

400μm

100μm

 

TTL和模擬探測器

Model No.

ET-2030TTL

ET-3000TTL

Detector Type

PIN

PIN

Active Area Diameter (μm)

400

100

Analog Output

Rise Time/Fall Time (ps)

<300/<300

<175/<175

Responsivity (A/W)

0.47 at 830nm

0.9 at 1300nm

Bandwidth

DC-1.2GHz

DC-1.2GHz

TTL Output

Rise Time/Fall Time (ns)

<8/<9

<8/<9

Bandwidth

DC-60MHz

DC-60MHz

 

>12.5GHz GaAs 和 InGaAs探測器

Model No.

ET-3500

ET-3500F

ET-4000

ET-4000F

Detector Type

PIN

PIN

PIN

PIN

Rise Time/Fall Time (ps)

<25/<25

<25/<25

<30/<30

<30/<30

Responsivity (A/W)

>0.90 at 1300nm

>0.65 at 1300nm

0.53 at 830nm

0.38 at 830nm

Bandwidth

>15GHz

>15GHz

>12.5GHz

>12.5GHz

Active Area Diameter (μm)

32

32

60

60

 

>9GHz放大光電探測器

Model No.

ET-3500A

ET-3500AF

ET-4000A

ET-4000AF

Detector Material

InGaAs

InGaAs

GaAs

GaAs

Rise Time/Fall Time (ps)

<40/<40

<40/<40

<40/<40

<40/<40

Conversion Gain (V/W)

>900 at 1300nm

>650 at 1300nm

530 at 830nm

380 at 830nm

Bandwidth

20kHz – 9GHz

20kHz – 9GHz

20kHz – 9GHz

20kHz – 9GHz

Active Area Diameter(μm)

32

32

60

60

 

>12.5GHz 2um高速探測器

Model No.

ET-5000

ET-5000F

Detector Type

PIN

PIN

Rise Time/Fall Time (ps)

28

28

Responsivity (A/W at 2000nm)

1.3

0.95

Bandwidth

>12.5GHz

>12.5GHz

Active Area Diameter (μm)

40

40

 

2um放大高速探測器

Model No.

ET-5000A

ET-5000AF

Detector Type

PIN

PIN

Rise Time/Fall Time (ps)

40

40

Conversion Gain (V/W at 2000nm)

1300

950

Bandwidth

20kHz-9GHz

20kHz-9GHz

Active Area Diameter (μm)

40

40

 

1.5-5um PbSe 大面積探測器

Model No.

ET-6000

Detector Type

Photoconductor

Gain

100x

Rise Time/Fall Time (μs)

23

Responsivity (High Impedance)

>3.2x105V/W at 3.5μm

Responsivity (50Ω Impedance)

>1.6x105V/W at 3.5μm

Bandwidth

0.02kHz-15kHz

Active Area Diameter (mm x mm)

5 x 5

高速光電探測器

 


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