BATOP可飽和吸收鏡,可飽和吸收片,太赫茲光電導天線(xiàn)回到首頁(yè) | 產(chǎn)品中心 | 代理品牌 | 技術(shù)文檔 | 新聞中心 | 聯(lián)系玻色 |
|
BATOP可飽和吸收鏡
德國B(niǎo)ATOP公司是一家專(zhuān)門(mén)生長(cháng)半導體可飽和吸收體等半導體光電器件的公司,主要產(chǎn)品包括: SAM半導體可飽和吸收鏡 SAM - Saturable Absorber Mirror 其中SESAM,RSAM和 SOC 是用于穩定、自啟動(dòng)的DPSS被動(dòng)鎖模激光器簡(jiǎn)單的鎖模元件。 飽合吸收鏡的封裝方式有裸片,粘附在散熱基座,和光纖尾端等方式。 半導體可飽和吸收鏡(SESAM)的基本結構就是把反射鏡與半導體可飽和吸收體結合在一起。底層一般為半導體反射鏡,其上生長(cháng)一層半導體可飽和吸收體薄膜,上層可能生長(cháng)一層反射鏡或直接利用半導體與空氣的界面作為反射鏡,這樣上下兩個(gè)反射鏡就形成了一個(gè)法布里-珀羅腔,通過(guò)改變吸收體的厚度以及兩反射鏡的反射率,可以調節吸收體的調制深度和反射鏡的帶寬。 一般來(lái)說(shuō)半導體的吸收有兩個(gè)特征弛豫時(shí)間,帶內熱平衡 (intraband thermalization) 弛豫時(shí)間和帶間躍遷 (interband transition) 弛豫時(shí)間。帶內熱平衡弛豫時(shí)間很短,在100-200fs左右,而帶間躍遷弛豫時(shí)間則相對較長(cháng),從幾ps到幾百ps。帶內熱平衡弛豫時(shí)間基本上無(wú)法控制,而帶間躍遷弛豫時(shí)間主要取決于半導體生長(cháng)時(shí)襯底的溫度,生長(cháng)時(shí)的溫度越低,帶間躍遷弛豫時(shí)間越短。在SESAM鎖模過(guò)程中,響應時(shí)間較長(cháng)的帶間躍遷 (如載流子重組) 提供了鎖模的自啟動(dòng)機制,而響應時(shí)間很短的帶內熱平衡可以有效壓縮脈寬、維持鎖模。
1. SESAM半導體可飽和吸收鏡 型號描述:SAM-800-1-X X-封裝代碼 2. RSAM共振可飽和吸收鏡 型號描述:RSAM-1064-27-X
5. PCA太赫茲光電導天線(xiàn) 太赫茲光電導天線(xiàn)是由金屬電極和一層低溫生長(cháng)的GaAs和InGaAs薄膜組成。iPCA是大面積的太赫茲光電導天線(xiàn),用于高功率太赫茲輸出和高靈敏度太赫茲收集。
您可以訪(fǎng)問(wèn)Batop公司網(wǎng)站了解更多: www.Batop.com |
上海玻色智能科技有限公司 上海: (021)3353-0926, 3353-0928 北京: (010)8217-0506 廣州: 139-0221-4841 武漢: 139-1733-4172 全國銷(xiāo)售服務(wù)熱線(xiàn):4006-171751 Email: info@bosontech.com.cn www.qiaoziwei.cn 2008-2022 All Rights Reserved! |
|